SI24R2E

2.4GHz 超低功耗有源 RFID 标签系统 SoC 单芯片

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产品概述

  • 工作在 2.4GHz ISM 频段

    内置 128 次可编程 NVM 存储器

    具有超低功耗自动发射功能

    具有低电压自动报警功能

    具有防拆卸报警功能

    集成防冲突通信机制

    内置 3KHz RCOSC 和硬件 Watchdog

    3.3V 编程电压

    调制方式:GFSK

    数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps

    超低关断电流:700nA

    超低待机电流:15uA

    快速启动时间: ≤ 130uS

    宽电源电压范围:1.9-3.6V

    宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V

    低成本晶振:16MHz±60ppm

    最高发射功率:7dBm

    发射电流(2Mbps): 13.5mA(0dBm)

    最高 10MHz 四线 SPI 接口

    发射数据硬件中断输出

    QFN20 封装

    兼容 Si24R1 和 Si24R2 发射功能

  • QFN20

  • SI24R2E为深圳市动能世纪全国总代理南京中科微的一颗2.4G无线发射SoC芯片,且提供全方面的技术支持。Si24R2E是针对有源RFID市场设计的低功耗、高性能的2.4GHz标签系统的SoC单芯片,集成嵌入式2.4GHz无线射频发射器模块、128次可编程NVM存储器模块以及自动发射控制器模块等。 Si24R2E 是一颗工作在 2.45GHz ISM 频段,专为低功耗有源 RFID 应用场合设计,集成嵌入式 2.45GHz 无线射频发射器模块、128 次可编程 NVM 存储器模块以及自动发射控制器模块等。工作频率范围为 2400MHz-2525MHz,共有 126 个 1MHz 带宽的信道。内部集成高 PSRR 的 LDO 电源,保证 1.9-3.6V 宽电源范围内稳定工作。 Si24R2E 采用 GFSK 数字调制与解调技术。数据传输速率可配置,支持 2Mbps、1Mbps 和 250Kbps 三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发,因此可以具有更低的功耗。芯片输出功率可调节,根据实际应用场合配置相应适合的输出功率,节省系统的功耗。 Si24R2E 针对低功耗应用场合进行了特别优化,在关断模式下,所有寄存器值与FIFO 值保持不变,关断电流为 700nA;在待机模式下,时钟保持工作,工作电流为 15uA,并且可以在最长 130uS 时间内开始数据的发射。 Si24R2E 开启自动发射功能,内部 Watchdog 与内部 RCOSC 时钟工作,内部 Timer计时器开始计时,芯片工作在睡眠状态下,此时待机电流仅为 700nA。当内部 Timer 计时器计满,自动发射控制器自动完成数据从 NVM 存储器的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠状态。Si24R2E 的平均功耗非常低,特别适合纽扣电池供电的应用系统。 Si24R2E 操作方便,不需要外部 MCU,即可以自动完成数据的装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持 10 年以上。在 3.3V 供电电压下,无需外部高压,外部 MCU 可以通过芯片的四线 SPI 接口完成 NVM 的配置编程,芯片最大可编程次数为 128 次,芯片支持 NVM 加锁,防止 NVM配置数据回读,保证用户数据安全。 Si24R2E 具有非常低的系统应用成本,不需要外部 MCU,仅少量外围无源器件即可以组成一个有源 RFID 无线数据发射系统。

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应用领域

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技术问答

SI24R2E 常见技术问题Q&A解答

01

Q:虽说Si24R2E布局走线非常简单,是否有提供建议参考,可以避免一些误区?

A:有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图,同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》,避免客户在设计过程中的一些问题,减少后期调试改板等工作。

02

Q:我看到大多数Si24R2E的板子上都会加一颗100uf的钽电容,具体作用是什么?

A:因为Si24R2E主要针对是低功耗有源标签应用,一般是纽扣电池供电,加100uf钽电容可以有效稳定供电,同时保护电池延长电池寿命。

03

Q:Si24R2E SPI 输入口必须强制10K电阻上拉,否则静态电流异常。如果这个10K上拉电阻没有加,会有什么影响?

A:静态电流会大一些。对于芯片的烧录以及芯片的烧录均没有影响,但是我们强烈建议加上这几个10K上拉电阻,主要还是稳定性更好。

04

Q:Si24R2E 是如何进行芯片烧录的?是否可以外挂MCU控制?

A:正常是通过我司提供的PC端芯片烧录上位机编程器进行程序的下载,测试与量产都非常的方便。同时也支持外接MCU控制。

05

Q:Si24R2E和Si24R2F/Si24R2H三款产品有什么区别?

A:三款芯片均是脱胎于Si24R1,主要的区别是针对应用领域不同,所以功能有所差异。

Si24R2F兼容Si24R2E情况下新增了部分功能:

1.自动发射模式下,最多支持4个不同信道轮询发射;

2.集成温度监测和报警功能(开启温度监测,每次发射数据都会包含芯片工作环境温度数据);

3.支持按键发射功能;

4.支持发射数据加密。

Si24R2H相比Si24R2E有几个较大的区别:

1.R2H功率要高于R2E。分别是12dBm和7dBm;

2.封装不一样,分别是R2H QFN32和R2E QFN20;

3.R2H内置125K,R2E则没有;

4.跳频通道不一样,R2H只支持4通道跳频,R2E只支持3通道跳频;

5.内置NVM寄存器烧写次数不一样,R2H可烧写次数较少为32次,R2E为128次;

6.R2H支持数据加密功能,R2E则不支持;

7.R2H支持内部测温,NTC测温,外挂温湿度传感器。R2E则不支持。

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